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Siehe Technische Spezifikationen

PT100MF0MP +BOM

PT100MF0MP: SMD Phototransistors ROHS, 35V, 75mW, 100nA sensitivity, emitting at 910nm with a maximum current of 20mA

Hersteller:

Sharp Microelectronics
Herstellerteil #:

PT100MF0MP
Datenblatt:

PT100MF0MP Datenblatt (PDF)
Peak Wavelength:

910 nm
Maximum On-State Collector Current:

20 mA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

35 V
Dark Current:

100 nA
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an PT100MF0MP

Hauptmerkmale

Highly stable and accurate temperature readings
Suitable for use in harsh environments
Easy integration with existing systems
Compliant with international standards and regulations

Anwendung

Aircraft temperature control
Greenhouse temperature monitoring

Spezifikationen

Product Category	Phototransistors	Peak Wavelength	910 nm
Maximum On-State Collector Current	20 mA	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	35 V
Dark Current	100 nA	Rise Time	5 us
Fall Time	6 us	Pd - Power Dissipation	75 mW
Minimum Operating Temperature	- 30 C	Maximum Operating Temperature	+ 85 C
Half Intensity Angle Degrees	15 deg	Height	2.2 mm
Length	3 mm	Product Type	Phototransistors
Factory Pack Quantity	2000	Subcategory	Optical Detectors & Sensors
Type	Phototransistor	Width	1.5 mm
Unit Weight	0.002145 oz

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