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PTVA127002EV-V1-R0 +BOM

High-power amplifier module for wireless communication systems

  • Hersteller:

    Wolfspeed

  • Herstellerteil #:

    PTVA127002EV-V1-R0

  • Datenblatt:

    PTVA127002EV-V1-R0 Datenblatt (PDF) pdf-icon

  • Transistor Polarity:

    N-Channel

  • Technology:

    Si

  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:

    105 V

  • Rds On - Drain-Source Resistance:

    100 mOhms

PTVA127002EV-V1-R0 Allgemeine Beschreibung

RF Mosfet 50 V 150 mA 1.2GHz ~ 1.4GHz 16dB 700W H-36275-4

Spezifikationen

Product Category RF MOSFET Transistors Transistor Polarity N-Channel
Technology Si Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 105 V
Rds On - Drain-Source Resistance 100 mOhms Operating Frequency 1.2 GHz to 1.4 GHz
Gain 16 dB Output Power 700 W
Maximum Operating Temperature + 225 C Mounting Style SMD/SMT
Number of Channels 1 Channel Product Type RF MOSFET Transistors
Factory Pack Quantity 50 Subcategory MOSFETs
Transistor Type LDMOS FET Type RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage 10 V

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