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Siehe Technische Spezifikationen

PTAC260302FC-V1-R250 +BOM

Robust and efficient RF amplifier solutions utilizing RF MOSFET technology with high power density

Hersteller:

Wolfspeed
Herstellerteil #:

PTAC260302FC-V1-R250
Datenblatt:

PTAC260302FC-V1-R250 Datenblatt (PDF)
Transistor Polarity:

Dual N-Channel
Technology:

Si
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:

65 V
Rds On - Drain-Source Resistance:

800 mOhms

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

Avaq Semiconductor bietet den äußerst vielseitigen und zuverlässigen PTAC260302FC-V1-R250-Treiber von Wolfspeed an. Mit seinen multifunktionalen und leistungsstarken Funktionen ist diese Komponente eine ausgezeichnete Wahl für eine breite Palette elektronischer Projekte.

Um sicherzustellen, dass Sie über alle notwendigen Informationen verfügen, um diese Komponente optimal nutzen zu können, stellt Avaq ein kostenloses Datenblatt im PDF-Format sowie Schaltpläne, Pin-Layouts, Pin-Details, Pin-Spannungswerte und gleichwertige Komponenten für die zur Verfügung PTAC260302FC-V1-R250.

Avaq bietet auch kostenlose Muster an. Füllen Sie einfach das Musteranforderungsformular aus und senden Sie es ab, um Ihre kostenlosen Muster zum Testen zu erhalten. Bei Fragen können Sie sich gerne jederzeit an uns wenden.

Spezifikationen

Product Category	RF MOSFET Transistors	Transistor Polarity	Dual N-Channel
Technology	Si	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	65 V
Rds On - Drain-Source Resistance	800 mOhms	Operating Frequency	2.62 GHz to 2.69 GHz
Gain	15.5 dB	Output Power	30 W
Maximum Operating Temperature	+ 225 C	Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	2 Channel	Product Type	RF MOSFET Transistors
Factory Pack Quantity	250	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	LDMOS FET	Type	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage	10 V

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