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Siehe Technische Spezifikationen

PUMX2,115 +BOM

NPN/NPN general-purpose double transistors in a small SOT363 (SC-88) Surface Mounted Device (SMD) plastic package.

Hersteller:

Nexperia
Herstellerteil #:

PUMX2,115
Datenblatt:

PUMX2,115 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

50 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an PUMX2,115

PUMX2,115 Allgemeine Beschreibung

NPN/NPN general-purpose double transistors in a small SOT363 (SC-88) Surface Mounted Device (SMD) plastic package.

Hauptmerkmale

Simplifies circuit design
Reduces component count
Reduces pick and place costs
AEC-Q101 qualified

Anwendung

General-purpose switching and amplification

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V	Collector- Base Voltage VCBO	60 V
Emitter- Base Voltage VEBO	7 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	250 mV
Maximum DC Collector Current	150 mA	Pd - Power Dissipation	300 mW
Gain Bandwidth Product fT	100 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	DC Collector/Base Gain hfe Min	120
DC Current Gain hFE Max	120 at 1 mA, 6 V	Height	1 mm
Length	2.2 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	1.35 mm
Part # Aliases	934059964115	Unit Weight	0.000212 oz

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