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Siehe Technische Spezifikationen

PUMZ1,115 +BOM

Two independently operating NPN/PNP transistors in an SC-88; SOT363 plastic package.

Hersteller:

Nexperia
Herstellerteil #:

PUMZ1,115
Datenblatt:

PUMZ1,115 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN, PNP
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

40 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an PUMZ1,115

PUMZ1,115 Allgemeine Beschreibung

Two independently operating NPN/PNP transistors in an SC-88; SOT363 plastic package.

Hauptmerkmale

Low current (max. 100 mA)
Low voltage (max. 40 V)
Reduces number of components and boardspace.
AEC-Q101 qualified

Anwendung

General purpose switching and amplification.

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN, PNP	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	40 V	Collector- Base Voltage VCBO	50 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	200 mV
Maximum DC Collector Current	100 mA	Pd - Power Dissipation	300 mW
Gain Bandwidth Product fT	100 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	DC Collector/Base Gain hfe Min	120
DC Current Gain hFE Max	120 at 1 mA, 6 V	Height	1 mm
Length	2.2 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	1.35 mm
Part # Aliases	934034220115	Unit Weight	0.000212 oz

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