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Siehe Technische Spezifikationen

QM100HY-2H +BOM

BJT, Medium Power Switching Transistor, IC 100A

Hersteller:

Mitsubishi Electronics
Herstellerteil #:

QM100HY-2H
Datenblatt:

QM100HY-2H Datenblatt (PDF)
Place:

Japan
Launch_date:

Jan 6, 1999
Last_inspection_date:

22 SEP 2022
Supplier_cage_code:

J4314
EDA/CAD Modelle:

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QM100HY-2H Allgemeine Beschreibung

The QM100HY-2H is a power semiconductor module that combines multiple power components in a single package. It provides a compact and integrated solution for high-power applications, enabling efficient power conversion and control.

Hauptmerkmale

High Power Handling: The QM100HY-2H module is designed to handle high power levels, allowing for robust operation in demanding applications.
Low Power Loss: It features low power loss characteristics, which contributes to improved energy efficiency and reduced heat generation.
Fast Switching Speed: The module offers fast switching capabilities, enabling high-frequency operation and precise control of power flow.
Protection Features: It incorporates various protection features such as overcurrent protection, overvoltage protection, and overtemperature protection to ensure safe and reliable operation.
High Thermal Performance: It is designed with efficient thermal management, allowing for effective heat dissipation and maintaining optimal operating temperatures.

Spezifikationen

place	Japan	launch_date	Jan 6, 1999
last_inspection_date	22 SEP 2022	supplier_cage_code	J4314
htsusa		schedule_b
ppap		aec

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