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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

QRD1113 +BOM

DIP-4 Ambient Light Sensors ROHS

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

QRD1113
Datenblatt:

QRD1113 Datenblatt (PDF)
Sensing Distance:

1.27 mm
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

30 V
Maximum Collector Current:

300 uA
Vf - Forward Voltage:

1.7 V

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

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QRD1113 Allgemeine Beschreibung

With its on-axis radiation and response, the QRD1113/14 sensor offers precise and reliable detection capabilities. The emitter and detector work in perfect alignment, ensuring that the sensor only activates when a reflective surface is present. This makes it ideal for applications where accurate object detection is essential

Hauptmerkmale

Phototransistor output
No contact surface sensing
Unfocused for sensing diffused surfaces
Compact package
Daylight filter on sensor

Anwendung

Medical Electronics/Devices
Automation
Test and Measurement
Building & Home Control

Spezifikationen

Product Category	Optical Switches, Reflective, Phototransistor Output	Sensing Distance	1.27 mm
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	30 V	Maximum Collector Current	300 uA
Vf - Forward Voltage	1.7 V	Vr - Reverse Voltage	5 V
Minimum Operating Temperature	- 40 C	Maximum Operating Temperature	+ 85 C
Mounting Style	Through Hole	Series	QRD1113
Fall Time	50 us	Height	4.65 mm
If - Forward Current	20 mA	Length	6.1 mm
Number of Channels	1 Channel	Output Type	Phototransistor
Pd - Power Dissipation	100 mW	Product Type	Optical Switches, Reflective, Phototransistor Output
Rise Time	10 us	Sensing Method	Reflective
Factory Pack Quantity	100	Subcategory	Optical Switches
Wavelength	940 nm	Width	4.39 mm
Part # Aliases	QRD1113_NL	Unit Weight	0.032099 oz

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