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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

QRD1114 +BOM

1.27mm Plugin Reflective Optical Interrupters ROHS

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

QRD1114
Datenblatt:

QRD1114 Datenblatt (PDF)
Sensing Distance:

1.27 mm
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

30 V
Maximum Collector Current:

1 mA
Vf - Forward Voltage:

1.7 V

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

QRD1114 Allgemeine Beschreibung

The QRD1113/14 reflective sensor is a compact and versatile device that combines an infrared emitting diode with an NPN silicon photodarlington in a single housing. This design allows for easy integration into various applications where reflective sensing is required. The on-axis radiation of the emitter and the on-axis response of the detector are both precisely aligned, ensuring reliable and accurate detection of reflective objects or surfaces

Hauptmerkmale

Phototransistor output
No contact surface sensing
Unfocused for sensing diffused surfaces
Compact package
Daylight filter on sensor

Anwendung

Medical Electronics/Devices
Automation
Test and Measurement
Building & Home Control

Spezifikationen

Product Category	Optical Switches, Reflective, Phototransistor Output	Sensing Distance	1.27 mm
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	30 V	Maximum Collector Current	1 mA
Vf - Forward Voltage	1.7 V	Vr - Reverse Voltage	5 V
Minimum Operating Temperature	- 40 C	Maximum Operating Temperature	+ 85 C
Mounting Style	Through Hole	Series	QRD1114
Fall Time	50 us	Height	4.65 mm
If - Forward Current	20 mA	Length	6.1 mm
Number of Channels	1 Channel	Output Type	Phototransistor
Pd - Power Dissipation	100 mW	Product Type	Optical Switches, Reflective, Phototransistor Output
Rise Time	10 us	Sensing Method	Reflective
Factory Pack Quantity	100	Subcategory	Optical Switches
Wavelength	940 nm	Width	4.39 mm
Part # Aliases	QRD1114_NL	Unit Weight	0.011640 oz

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