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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

R1LV0816ASB-5SI#B0 +BOM

CMOS SRAM, Standard, 512KX16, 55ns, PDSO44

Hersteller:

RENESAS
Herstellerteil #:

R1LV0816ASB-5SI#B0
Datenblatt:

R1LV0816ASB-5SI#B0 Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Pin Count:

44
Reach Compliance Code:

compliant
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an R1LV0816ASB-5SI#B0

R1LV0816ASB-5SI#B0 Allgemeine Beschreibung

The R1LV0816ASB-5SI#B0 product from Renesas is aimed at customers who have already adopted these products, offering limited support. Renesas holds the prestigious title of being the leading Low Power SRAM supplier globally, providing a complete lineup and ensuring long-term support for its customers. The company's high-density and high-performance RAMs, which incorporate Renesas's original technology, such as the cutting-edge Advanced LPSRAM new memory cell concept, showcase its dedication to delivering top-of-the-line products

Spezifikationen

Source Content uid	R1LV0816ASB-5SI#B0	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Obsolete	Pin Count	44
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	3A991.B.2.A
HTS Code	8542.32.00.41	I/O Type	COMMON
JESD-30 Code	R-PDSO-G44	Memory IC Type	STANDARD SRAM
Memory Organization	512KX16	Memory Width	16
Moisture Sensitivity Level	3	Number of Functions	1
Number of Terminals	44	Number of Words Code	512000
Operating Mode	ASYNCHRONOUS	Output Characteristics	3-STATE
Parallel/Serial	PARALLEL	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Surface Mount	YES	Technology	CMOS
Temperature Grade	INDUSTRIAL	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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