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Siehe Technische Spezifikationen

R1RW0416DSB-2PI#B0 +BOM

This 4Mbit Parallel SRAM Memory IC features a 12 ns access time, making it suitable for demanding embedded systems applications

Hersteller:

Renesas Electronics Corporation
Herstellerteil #:

R1RW0416DSB-2PI#B0
Datenblatt:

R1RW0416DSB-2PI#B0 Datenblatt (PDF)
Programmabe:

Not Verified
Memory Type:

Volatile
Memory Format:

SRAM
Technology:

SRAM

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

R1RW0416DSB-2PI#B0 Allgemeine Beschreibung

SRAM Memory IC 4Mbit Parallel 12 ns 44-TSOP II

Spezifikationen

Series	-	Programmabe	Not Verified
Memory Type	Volatile	Memory Format	SRAM
Technology	SRAM	Memory Size	4Mbit
Memory Organization	256K x 16	Memory Interface	Parallel
Write Cycle Time - Word, Page	12ns	Access Time	12 ns
Voltage - Supply	3V ~ 3.6V	Operating Temperature	-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	R1RW0416

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