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RD07MVS1 +BOM

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

Hersteller:

MITSUBISHI ELECTRIC CORP
Herstellerteil #:

RD07MVS1
Datenblatt:

RD07MVS1 Datenblatt (PDF)
Frequency Range:

175 MHz - 520 MHz
Output Power:

7W
Operating Voltage:

12 V
Operating Temperature:

-40°C ~ 85°C
EDA/CAD Modelle:

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RD07MVS1 Allgemeine Beschreibung

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

Hauptmerkmale

Most suitable for color T.V. damper.
High voltage by mesa design.
High reliability

Anwendung

Mobile radio communication devices
Two-way radios
Low power linear amplification
Wireless communication systems

Spezifikationen

Product Name	RD07MVS1	Product Type	RF Power Transistor
Frequency Range	175 MHz - 520 MHz	Output Power	7W
Operating Voltage	12 V	Operating Temperature	-40°C ~ 85°C

Servicerichtlinien und andere

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Wir versprechen, 365 Tage Qualitätssicherung für alle unsere Produkte zu bieten.

Bewertungen und Rezensionen

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H**a 08.11.2023

Avaq's commitment to customer satisfaction shines through their exceptional delivery speed. My order of RD07MVS1 components arrived promptly, boosting my confidence in this reliable distributor!

J**e 05.21.2023

I am extremely pleased with the prompt delivery and utmost professionalism from Avaq. The RD07MVS1 components I received were in perfect condition, reflecting their commitment to excellence.

B**y 03.25.2023

Avaq's focus on delivering top-quality products is evident in their RD07MVS1 components. Undoubtedly, their excellent customer service and rapid delivery have won me over as a loyal customer!

A**a 05.16.2022

I couldn't be happier with Avaq's outstanding customer service! They promptly responded to all my queries and provided helpful guidance throughout my purchase of RD07MVS1 components. Kudos to their team!