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Siehe Technische Spezifikationen

RD3P130SPTL1 +BOM

Power MOSFET, -100V, -13A, Pch

Hersteller:

Rohm Semiconductor
Herstellerteil #:

RD3P130SPTL1
Datenblatt:

RD3P130SPTL1 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Factory Lead Time:

52 Weeks
EDA/CAD Modelle:

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RD3P130SPTL1 Allgemeine Beschreibung

P-Channel 100 V 13A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount TO-252

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	52 Weeks
Date Of Intro	2017-07-24	Application	SWITCHING
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-252
JESD-30 Code	R-PSSO-G2	Number of Elements	1
Number of Terminals	2	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED	Polarity/Channel Type	P-CHANNEL
Surface Mount	YES	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	SINGLE	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Element Material	SILICON	Product Category	MOSFET
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	P-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V	Id - Continuous Drain Current	13 A
Rds On - Drain-Source Resistance	135 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.5 V	Qg - Gate Charge	40 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	20 W	Channel Mode	Enhancement
Series	RD3P	Fall Time	60 ns
Product Type	MOSFET	Rise Time	25 ns
Factory Pack Quantity	2500	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 P-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	70 ns
Typical Turn-On Delay Time	20 ns	Part # Aliases	RD3P130SP
Unit Weight	0.012699 oz

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