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IGBT Transistors 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
BGAHersteller:
Herstellerteil #:
RGTV60TK65GVC11
Datenblatt:
IGBT Type:
Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
650 V
Current - Collector (Ic) (Max):
33 A
Current - Collector Pulsed (Icm):
120 A
EDA/CAD Modelle:
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IGBT Trench Field Stop 650 V 33 A 76 W Through Hole TO-3PFM
Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTs | Series | - |
IGBT Type | Trench Field Stop | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 33 A | Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 30A | Power - Max | 76 W |
Switching Energy | 570µJ (on), 500µJ (off) | Input Type | Standard |
Gate Charge | 64 nC | Td (on/off) @ 25°C | 33ns/105ns |
Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V | Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Base Product Number | RGTV60 |
Product Category: | IGBT Transistors | Technology: | Si |
Mounting Style: | Through Hole | Configuration: | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V | Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5 V |
Maximum Gate Emitter Voltage: | - 30 V, 30 V | Continuous Collector Current at 25 C: | 33 A |
Pd - Power Dissipation: | 76 W | Minimum Operating Temperature: | - 40 C |
Maximum Operating Temperature: | + 175 C | Packaging: | Tube |
Continuous Collector Current Ic Max: | 33 A | Gate-Emitter Leakage Current: | 200 nA |
Product Type: | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity: | 30 |
Subcategory: | IGBTs | Part # Aliases: | RGTV60TK65 |
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | - | - |
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