Bezahlverfahren
RK7002AT116 +BOM
Recommended alternative for MOSFET RK7002BMT116
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3-
Hersteller:
-
Herstellerteil #:
RK7002AT116
-
Datenblatt:
-
FET Type:
N-Channel
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Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
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Drain To Source Voltage (Vdss):
60 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
300mA (Ta)
-
EDA/CAD Modelle:
Verfügbarkeit: 7460 Stck
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RK7002AT116 Allgemeine Beschreibung
Product RK7002AT116 is a MOSFET with N Channel Transistor Polarity and a Continuous Drain Current Id of 300mA. It has a Drain Source Voltage Vds of 60V and an On Resistance Rds(on) of 1ohm with Rds(on) Test Voltage Vgs of 10V. The Threshold Voltage Vgs is 2.5V and it has a Power Dissipation Pd of 200mW. The Transistor Case Style is SOT-23 with 3 Pins and an Operating Temperature Max of 150°C
Hauptmerkmale
1) Low on-resistance.
2) High ESD
3) High-speed switching.
4) Low-voltage drive (4V).
5) Easily designed drive circuits.
6) Easy to use in parallel.
Anwendung
SWITCHINGSpezifikationen
FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300mA (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 300mA, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 33 pF @ 10 V |
Power Dissipation (Max) | 200mW (Ta) | Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Base Product Number | RK7002 |
Servicerichtlinien und andere
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
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In Stock: 7.460
Minimum Order: 1
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
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5+ | $0,065 | $0,32 |
50+ | $0,053 | $2,65 |
150+ | $0,046 | $6,90 |
500+ | $0,041 | $20,50 |
3000+ | $0,037 | $111,00 |
6000+ | $0,035 | $210,00 |
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