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Siehe Technische Spezifikationen

RQA0009SXAQS +BOM

Trans RF MOSFET N-CH 16V 3.2A 4-Pin(3+Tab) UPAK

Hersteller:

RENESAS
Herstellerteil #:

RQA0009SXAQS
Datenblatt:

RQA0009SXAQS Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Contact Manufacturer
Pin Count:

3
Reach Compliance Code:

compliant
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an RQA0009SXAQS

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

RQA0009SXAQS Allgemeine Beschreibung

Features High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +37.8 dBm, Linear Gain = 18 dB, PAE = 65% (VDS = 6 V, f = 520 MHz) Compact package capable of surface mounting Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC Standard, 61000-4-2, Level4)

Hauptmerkmale

High Output Power, High Gain, High Efficiency
Pout = +37.8 dBm, Linear Gain = 18 dB, PAE = 65%
(VDS = 6 V, f = 520 MHz)
Compact package capable of surface mounting
Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC Standard, 61000-4-2, Level4)

Spezifikationen

Source Content uid	RQA0009SXAQS	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Contact Manufacturer	Pin Count	3
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Case Connection	SOURCE	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	16 V	Drain Current-Max (ID)	3.2 A
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-PSSO-F3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Form	FLAT
Terminal Position	SINGLE	Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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