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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

RRH100P03GZETB +BOM

RRH100P03GZETB: a MOSFET tailored for 4V driving scenarios."

Hersteller:

Rohm Semiconductor
Herstellerteil #:

RRH100P03GZETB
Datenblatt:

RRH100P03GZETB Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
Factory Lead Time:

53 Weeks, 1 Day
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an RRH100P03GZETB

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

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RRH100P03GZETB Allgemeine Beschreibung

P-Channel 30 V 10A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount 8-SOP

Spezifikationen

Pbfree Code	Yes	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code	compliant	Factory Lead Time	53 Weeks, 1 Day
Avalanche Energy Rating (Eas)	0.8 mJ	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	30 V	Drain Current-Max (ID)	10 A
Drain-source On Resistance-Max	0.0126 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss)	450 pF	JESD-30 Code	R-PDSO-G8
Number of Elements	1	Number of Terminals	8
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Polarity/Channel Type	P-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	2 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	40 A	Surface Mount	YES
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	DUAL
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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