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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

RSR015P06HZGTL +BOM

MOSFET designed for automotive applications with -60V Pch

Hersteller:

ROHM Semiconductor
Herstellerteil #:

RSR015P06HZGTL
Datenblatt:

RSR015P06HZGTL Datenblatt (PDF)
Series:

Automotive, AEC-Q101
FET Type:

P-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

60 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an RSR015P06HZGTL

RSR015P06HZGTL Allgemeine Beschreibung

Introducing the RSR015P06HZGTL, a high-quality MOSFET designed specifically for automotive applications. This P-channel MOSFET is capable of handling up to -60V and -1.5A, making it ideal for switching tasks in a variety of automotive systems. With its small size and low on-resistance, this MOSFET offers high performance in a compact package, saving valuable space in your designs

Hauptmerkmale

Low on - resistance
High Power small mold Package (TSMT3)
Pb-free lead plating ; RoHS compliant
AEC-Q101 Qualified

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	Automotive, AEC-Q101
FET Type	P-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	280mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 1mA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	500 pF @ 10 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	700mW (Ta)
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	RSR015

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Bewertungen und Rezensionen

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S**l 12.30.2020

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N**h 10.15.2020

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