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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

RUM002N05T2L +BOM

Three-pin N-channel MOSFET transistor capable of handling up to 50V and 0.2A

Hersteller:

Rohm Semiconductor
Herstellerteil #:

RUM002N05T2L
Datenblatt:

RUM002N05T2L Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

3
Reach Compliance Code:

compliant
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an RUM002N05T2L

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

RUM002N05T2L Allgemeine Beschreibung

The RUM002N05T2L MOSFETs redefine industry standards with their ultra-low ON-resistance, setting a new benchmark for performance and efficiency in mobile equipment applications. Leveraging innovative micro-processing technologies, these MOSFETs are engineered to minimize current consumption while delivering superior functionality and reliability. With a versatile product portfolio encompassing compact, high-power, and complex models, they are designed to address the evolving needs of customers in the fast-paced electronics market, offering tailored solutions for diverse requirements and specifications

Hauptmerkmale

1) High speed swtiching
2) Small paceage(VMT3).
3) Ultra low voltage drive(1.2V drive).

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Pbfree Code	Yes	Part Life Cycle Code	Active
Pin Count	3	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	53 Weeks, 1 Day
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	50 V
Drain Current-Max (ID)	0.2 A	Drain-source On Resistance-Max	2.4 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-PDSO-F3
JESD-609 Code	e2	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	0.15 W	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	Tin/Copper (Sn/Cu)
Terminal Form	FLAT	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	10	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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