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Siehe Technische Spezifikationen

SI7190DP +BOM

MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8

Hersteller:

SI
Herstellerteil #:

SI7190DP
Datenblatt:

SI7190DP Datenblatt (PDF)
Series:

TrenchFET®
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

250 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SI7190DP

Hauptmerkmale

4.5V to 24V Input Voltage Range
6A Output Current
45mΩInternal High Side N-MOSFET
Current Mode Control
600kHz Switching Frequency
Adjustable Output from 0.8V to 15V
Up to 95% Efficiency
Internal Compensation
Stable with Ceramic Capacitors
Synchronous External Clock : 300kHz to 1.5MHz
Cycle-by-Cycle Current Limit
Input Under Voltage Lockout
Output Under Voltage Protection
Power Good Indicator
Thermal Shutdown Protection
RoHS Compliant and Halogen Free

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	TrenchFET®
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	250 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	18.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	118mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	72 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2214 pF @ 125 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	5.4W (Ta), 96W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	SI7190

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