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Siehe Technische Spezifikationen

SKM100GAR123D +BOM

Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, CASE D63, SEMITRANS2-7

Hersteller:

SEMIKRON
Herstellerteil #:

SKM100GAR123D
Datenblatt:

SKM100GAR123D Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Pin Count:

2
Reach Compliance Code:

compliant
EDA/CAD Modelle:

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SKM100GAR123D Allgemeine Beschreibung

SEMITRANS® IGBT Modules; New Range 1995/963rd Version: Low Inductance, lower VCEsat, soft and fast CAL diodes1); Preliminary Data 4)

Spezifikationen

Pbfree Code	Yes	Part Life Cycle Code	Obsolete
Pin Count	2	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Case Connection	ISOLATED
Collector Current-Max (IC)	100 A	Collector-Emitter Voltage-Max	1200 V
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	Gate-Emitter Voltage-Max	20 V
JESD-30 Code	R-XUFM-X5	JESD-609 Code	e2
Number of Elements	1	Number of Terminals	5
Operating Temperature-Max	150 °C	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	625 W	Qualification Status	Not Qualified
Reference Standard	UL RECOGNIZED	Surface Mount	NO
Terminal Finish	TIN SILVER	Terminal Form	UNSPECIFIED
Terminal Position	UPPER	Transistor Application	POWER CONTROL
Transistor Element Material	SILICON	Turn-off Time-Nom (toff)	520 ns
Turn-on Time-Nom (ton)	100 ns	VCEsat-Max	3 V

Servicerichtlinien und andere

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