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SKW15N120 +BOM

IGBT NPT 1200 V 30 A 198 W Through Hole PG-TO247-3-1

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

SKW15N120
Datenblatt:

SKW15N120 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SKW15N120

SKW15N120 Allgemeine Beschreibung

IGBT NPT 1200 V 30 A 198 W Through Hole PG-TO247-3-1

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	SKW15N120	Continuous Collector Current Ic Max	30 A
Height	20.95 mm	Length	15.9 mm
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	240
Subcategory	IGBTs	Width	5.3 mm
Part # Aliases	SP000012570 SKW15N120XK SKW15N120FKSA1	Unit Weight	1.340411 oz

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