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Siehe Technische Spezifikationen

SKW20N60HS +BOM

High-speed IGBT transistor for demanding applications, rating and A current

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

SKW20N60HS
Datenblatt:

SKW20N60HS Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

600 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SKW20N60HS

SKW20N60HS Allgemeine Beschreibung

The SKW20N60HS stands out with its remarkably low on-state resistance of 0.22 ohms, which significantly reduces power losses and enhances the efficiency of power electronic systems. Its high slew rate and fast switching speed make it an ideal choice for applications that demand rapid switching and high-frequency operation. Moreover, with a gate threshold voltage of 4V, the SKW20N60HS ensures seamless compatibility with a wide range of gate drive circuits, further expanding its usability across various electronic setups

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	SKW20N60	Continuous Collector Current Ic Max	36 A
Height	20.9 mm	Length	15.9 mm
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	240
Subcategory	IGBTs	Width	5.3 mm
Part # Aliases	SP000013772 SKW20N60HSXK SKW20N60HSFKSA1	Unit Weight	1.340411 oz

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