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Siehe Technische Spezifikationen

SMBTA06UPNE6327HTSA1 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 80V 500mA 100MHz 330mW Surface Mount PG-SC74-6

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

SMBTA06UPNE6327HTSA1
Datenblatt:

SMBTA06UPNE6327HTSA1 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN, PNP
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

80 V
EDA/CAD Modelle:

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SMBTA06UPNE6327HTSA1 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 80V 500mA 100MHz 330mW Surface Mount PG-SC74-6

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN, PNP	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	80 V	Collector- Base Voltage VCBO	80 V
Emitter- Base Voltage VEBO	4 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	250 mV
Maximum DC Collector Current	500 mA	Pd - Power Dissipation	330 mW
Gain Bandwidth Product fT	100 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Qualification	AEC-Q101
Series	SMBTA06	Continuous Collector Current	500 mA
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Part # Aliases	SMBTA 06UPN E6327 SP000012393	Unit Weight	0.000430 oz

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