Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

SSM6K819R +BOM

MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS �-H)

Hersteller:

Toshiba Semiconductor
Herstellerteil #:

SSM6K819R
Datenblatt:

SSM6K819R Datenblatt (PDF)
Pin Count:

6
Released Date:

Apr 20, 2021
Last Modified Date:

Mar 7, 2023 4:10 PM UTC
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SSM6K819R

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

Hauptmerkmale

Characteristics
Symbol
Condition
Value
Unit
Gate threshold voltage (Max)
V
th
2.5
V
Drain-Source on-resistance (Max)
R
DS(ON)
GS
36.4
mΩ
Drain-Source on-resistance (Max)
R
DS(ON)
GS
25.8
mΩ
Input capacitance (Typ.)
C
iss
1110
pF
Total gate charge (Typ.)
Q
g
V
GS
8.5
nC

Spezifikationen

Pin Count	6	Released Date	Apr 20, 2021
Last Modified Date	Mar 7, 2023 4:10 PM UTC

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..