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SST112-T1-E3 +BOM

Part Number: SST112-T1-E3

SST112-T1-E3 Allgemeine Beschreibung

The SST112-T1-E3 transistor sets a high standard for performance and reliability with its impressive specifications. With a breakdown voltage of -55V and a gate-source cutoff voltage max of -5V, this JFET transistor is well-equipped to handle a wide range of tasks. Its power dissipation of 350mW ensures efficient operation in various applications. Operating within a temperature range of -55°C to +150°C, this transistor is suitable for use in extreme environments. Featuring 3 pins for easy installation, the SST112-T1-E3 transistor is user-friendly and convenient. Additionally, it is RoHS compliant, demonstrating its commitment to environmental responsibility. In summary, this transistor is a top choice for those seeking a high-performance component that excels in both quality and functionality

vishay Inventar

Hauptmerkmale

  • Low Cost
  • Automated Insertion Package
  • Low Insertion Loss
  • No Offset or Error Voltage Generated By Closed Switch
  • - Purely Resistive
  • - High Isolation Resistance From Driver
  • Fast Switching
  • Short Sample and Hold Aperture Time
vishay Originalbestand
vishay Inventar

Spezifikationen

Product Category JFET Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Transistor Polarity N-Channel
Configuration Single Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage - 35 V
Product Type JFETs Factory Pack Quantity 3000
Subcategory Transistors Type JFET
Part # Aliases SST112-E3 Unit Weight 0.000282 oz

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Garantie Garantie

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