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Siehe Technische Spezifikationen

STGFW20V60DF +BOM

IGBT Trench Field Stop 600 V 40 A 52 W Through Hole TO-3PF

Hersteller:

STMicroelectronics
Herstellerteil #:

STGFW20V60DF
Datenblatt:

STGFW20V60DF Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

600 V
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STGFW20V60DF Allgemeine Beschreibung

IGBT Trench Field Stop 600 V 40 A 52 W Through Hole TO-3PF

Anwendung

POWER CONTROL

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.8 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	40 A
Pd - Power Dissipation	52 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Series	STGFW20V60DF
Gate-Emitter Leakage Current	250 nA	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	300	Subcategory	IGBTs
Unit Weight	0.245577 oz

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