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Siehe Technische Spezifikationen

STPSC10065DY +BOM

Automotive 650 V, 10 A SiC Power Schottky Diode

Hersteller:

STMicroelectronics, Inc
Herstellerteil #:

STPSC10065DY
Datenblatt:

STPSC10065DY Datenblatt (PDF)
Series:

Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2
Technology:

SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):

650 V
Current - Average Rectified (Io):

10A
EDA/CAD Modelle:

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STPSC10065DY Allgemeine Beschreibung

The STPSC10065DY is a high-performance power Schottky diode made with a silicon carbide substrate, offering exceptional quality. With a 650V rating, this diode utilizes a wide band gap material to enable the design of a Schottky diode structure that delivers superior efficiency. Its Schottky construction eliminates recovery at turn-off and significantly reduces ringing patterns, while the capacitive turn-off behavior remains consistent across temperature variations. Designed for PFC applications, this ST SiC diode enhances performance in tough hard switching conditions. Its impressive forward surge capability ensures reliability during transient phases, making it an ideal choice for demanding applications

Hauptmerkmale

AEC-Q101 qualified
No or negligible reverse recovery
Switching behavior independent of temperature
Dedicated to PFC applications
High forward surge capability
PPAP capable
Operating T_j from -40 °C to 175 °C
ECOPACK^®2 compliant component

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsDiodesRectifiersSingle Diodes	Series	Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky	Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Current - Average Rectified (Io)	10A	Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.45 V @ 10 A
Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)	Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	130 µA @ 650 V	Capacitance @ Vr, F	670pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type	Through Hole	Operating Temperature - Junction	-40°C ~ 175°C
Base Product Number	STPSC10065

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