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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

THS3491IDDAR +BOM

Current Feedback Amplifier 1 Circuit 8-SO PowerPad

Hersteller:

TI
Herstellerteil #:

THS3491IDDAR
Datenblatt:

THS3491IDDAR Datenblatt (PDF)
Architecture:

Current FB
Number Of Channels:

1
Total Supply Voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V):

14
Total Supply Voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V):

32
EDA/CAD Modelle:

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THS3491IDDAR Allgemeine Beschreibung

Equipped with a 900-MHz small-signal bandwidth, the THS3491IDDAR ensures minimal overshoot (less than 1.5%) for a 10-V step, with rise and fall times of less than 1.3 ns. Its peak output current drive values exceeding 500 mA make it ideal for driving heavy capacitive loads with fast signals. The VQFN-16 (RGT) package offers the lowest distortion for new designs, while the 8-pin HSOIC (DDA) package (with PowerPAD™) allows for easy upgrades from legacy THS3091 or THS3095 designs

Hauptmerkmale

Ultra-low noise: 0.9 nV/√Hz
Bipolar supply range: ±5 V to ±12 V
Output current limiting

Spezifikationen

Architecture	Current FB	Number of channels	1
Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V)	14	Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V)	32
GBW (typ) (MHz)	900	BW at Acl (MHz)	900
Acl, min spec gain (V/V)	1	Slew rate (typ) (V/µs)	8000
Vn at flatband (typ) (nV√Hz)	1.85	Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz)	3
Iq per channel (typ) (mA)	17.1	Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV)	2
Rail-to-rail	No	Features	Shutdown
Rating	Catalog	Operating temperature range (°C)	-40 to 85
CMRR (typ) (dB)	75	Input bias current (max) (pA)	5000000
Offset drift (typ) (µV/°C)	3	Iout (typ) (mA)	420
2nd harmonic (dBc)	76	3rd harmonic (dBc)	69
Frequency of harmonic distortion measurement (MHz)	50

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