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Siehe Technische Spezifikationen

TIP120 +BOM

Darlington Transistors NPN Power Darlington

Hersteller:

STMicroelectronics, Inc
Herstellerteil #:

TIP120
Datenblatt:

TIP120 Datenblatt (PDF)
ECCN (US):

EAR99
ECCN (EU):

NEC
Packing Type:

Tube
Configuration:

Single
EDA/CAD Modelle:

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TIP120 Allgemeine Beschreibung

The TIP120 Darlington Bipolar Power Transistor is a versatile component ideal for a variety of applications. Whether you need it for general-purpose amplification or low-speed switching tasks, this transistor delivers reliable performance. With a design tailored for efficiency and durability, the TIP120 is a go-to choice for engineers and hobbyists alike

Hauptmerkmale

High DC Current Gain - hFE = 2500 (typ) @ IC = 4.0 Adc
Collector-Emitter Sustaining Voltage @ 100 mA
V_CEO(sus) = 60 Vdc (Min) TIP120, TIP125
V_CEO(sus) = 80 Vdc (Min) TIP121, TIP126
V_CEO(sus) = 100 Vdc (Min) TIP122, TIP127
Low Collector-Emitter Saturation Voltage
V_CE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ I_C= 3.0 Adc
= 4.0 Vdc (Max) @ I_C= 5.0 Adc
Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors
Compact TO-220 AB Package
Pb-Free Packages are Available

Spezifikationen

Marketing Status	Active	ECCN (US)	EAR99
ECCN (EU)	NEC	Packing Type	Tube
Temperature (°C) min	-	Temperature (°C) max	-
Product Category	Darlington Transistors	Configuration	Single
Transistor Polarity	NPN	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	60 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector- Base Voltage VCBO	60 V
Maximum Collector Cut-off Current	500 uA	Pd - Power Dissipation	65 W
Mounting Style	Through Hole	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	TIP120
Continuous Collector Current	5 A	DC Collector/Base Gain hfe Min	1000
Product Type	Darlington Transistors	Factory Pack Quantity	50
Subcategory	Transistors	Part # Aliases	TIP120_NL
Unit Weight	0.042823 oz

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