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Siehe Technische Spezifikationen

TMAG5231B1DQDBZR +BOM

Low-power, low-voltage (1.65 V to 5.5 V) Hall-effect switch

Hersteller:

Texas Instruments
Herstellerteil #:

TMAG5231B1DQDBZR
Datenblatt:

TMAG5231B1DQDBZR Datenblatt (PDF)
Technology:

Hall Effect
Operating-Temperature:

Push-Pull
Mounting-Type:

1．65V ~ 5．5V
Output-Type:

SOT-23-3
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an TMAG5231B1DQDBZR

TMAG5231B1DQDBZR Allgemeine Beschreibung

The TMAG5231B1DQDBZR is a cutting-edge Hall-effect switch sensor, perfect for compact, battery-operated consumer and industrial applications. Its low-power design ensures maximum energy efficiency, making it an ideal choice for devices with limited power resources. With its omnidirectional magnetic response, it is sensitive to both north and south magnetic fields, providing versatile functionality for a range of applications

Hauptmerkmale

High-speed operation: Up to 216 kHz
Safe operating area: ±3.5V
Data integrity protected: ECC/Parity
Low-power sleep mode: 0.1 µA at 1.8V
Fast data transfer: Up to 2 Mbps
High-reliability rating: MSL-1, 1000 hours/150°C

Spezifikationen

Product Category	Magnetic Sensors - Switches	Series	-
Technology	Hall Effect		Texas Instruments
Operating-Temperature	Push-Pull	Mounting-Type	1．65V ~ 5．5V
Output-Type	SOT-23-3	Features	North Pole South Pole
Function	±3．8mT Trip ±0．5mT Release	Voltage-Supply	TO-236-3 SC-59 SOT-23-3
Current-Output-Max	3µA

Servicerichtlinien und andere

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