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Siehe Technische Spezifikationen

W29N01HVSINF +BOM

1G-bit NAND flash storage device, designed to operate at a voltage rating of 3 volts, includes advanced 4-bit ECC technology, and uses a x8 interface

Hersteller:

Winbond
Herstellerteil #:

W29N01HVSINF
Datenblatt:

W29N01HVSINF Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Series:

W29N01HV
Memory Size:

1 Gbit
Interface Type:

Parallel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an W29N01HVSINF

W29N01HVSINF Allgemeine Beschreibung

Operating within a voltage range of 2.7V to 3.6V, the W29N01HVSINF offers versatility and compatibility with a wide range of applications. Its maximum read speed of up to 85MB/s and program speed of up to 10MB/s highlight its performance capabilities, making it a reliable choice for devices that require fast data access and transfer speeds. Housed in a compact TSOP-48 package, this memory chip is ideal for space-constrained designs without compromising on functionality

Hauptmerkmale

Rapid storage and retrieval speeds achieved
Compact package for space-efficient designs
Flexible voltage supply options available

Anwendung

The best choice for you
High quality guaranteed
Unbeatable performance

Spezifikationen

Product Category	NAND Flash	Mounting Style	SMD/SMT
Series	W29N01HV	Memory Size	1 Gbit
Interface Type	Parallel	Organization	128 M x 8
Data Bus Width	8 bit	Supply Voltage - Min	2.7 V
Supply Voltage - Max	3.6 V	Supply Current - Max	35 mA
Minimum Operating Temperature	- 40 C	Maximum Operating Temperature	+ 85 C
Active Read Current - Max	35 mA	Moisture Sensitive	Yes
Product Type	NAND Flash	Factory Pack Quantity	96
Subcategory	Memory & Data Storage	Unit Weight	0.093956 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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