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Siehe Technische Spezifikationen

W632GG6NB-11 +BOM

High density 2Gbit DDR3 SDRAM chip with 128Mx16 organization

Hersteller:

Winbond Electronics Corporation America
Herstellerteil #:

W632GG6NB-11
Datenblatt:

W632GG6NB-11 Datenblatt (PDF)
Memory Type:

Volatile
Memory Format:

DRAM
Technology:

SDRAM - DDR3
Memory Size:

2Gbit
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W632GG6NB-11 Allgemeine Beschreibung

SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gbit Parallel 933 MHz 20 ns 96-VFBGA (7.5x13)

Winbond Electronics Corporation America Inventar

Spezifikationen

Category	Integrated Circuits (ICs)MemoryMemory	Series	-
Memory Type	Volatile	Memory Format	DRAM
Technology	SDRAM - DDR3	Memory Size	2Gbit
Memory Organization	128M x 16	Memory Interface	Parallel
Clock Frequency	933 MHz	Write Cycle Time - Word, Page	15ns
Access Time	20 ns	Voltage - Supply	1.425V ~ 1.575V
Operating Temperature	0°C ~ 95°C (TC)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	W632GG6	Pin Count	96
Released Date	Oct 28, 2020	Last Modified Date	Mar 7, 2023 4:10 PM UTC

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