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Siehe Technische Spezifikationen

W71NW21GD1DW +BOM

High-capacity memory module for seamless performanc

Hersteller:

Winbond Electronics Corporation America
Herstellerteil #:

W71NW21GD1DW
Datenblatt:

W71NW21GD1DW Datenblatt (PDF)
Memory Type:

Non-Volatile, Volatile
Memory Format:

FLASH, RAM
Technology:

FLASH - NAND, DRAM - LPDDR
Memory Size:

2Gbit (NAND), 1Gbit (LPDDR)
EDA/CAD Modelle:

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W71NW21GD1DW Allgemeine Beschreibung

FLASH - NAND, DRAM - LPDDR Memory IC 2Gbit (NAND), 1Gbit (LPDDR) 130-FBGA (8x9)

Winbond Electronics Corporation America Inventar

Spezifikationen

Category	Integrated Circuits (ICs)MemoryMemory	Series	-
Memory Type	Non-Volatile, Volatile	Memory Format	FLASH, RAM
Technology	FLASH - NAND, DRAM - LPDDR	Memory Size	2Gbit (NAND), 1Gbit (LPDDR)
Memory Organization	-	Memory Interface	-
Write Cycle Time - Word, Page	-	Voltage - Supply	1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature	-40°C ~ 85°C (TA)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	W71NW21	Product Category:	Multichip Packages
Type:	NAND Flash, LPDDR1	Memory Size:	2 Gbit, 1 Gbit
Series:	W71NW21GD	Mounting Style:	SMD/SMT
Maximum Clock Frequency:	40 MHz, 200 MHz	Minimum Operating Temperature:	- 40 C
Maximum Operating Temperature:	+ 85 C	Data Bus Width:	16 bit
Moisture Sensitive:	Yes	Organization:	128 M x 16, 64 M x 16
Product:	NAND-Based MCP	Product Type:	Multichip Packages
Factory Pack Quantity:	2500	Subcategory:	Memory & Data Storage
Supply Voltage - Max:	1.95 V	Supply Voltage - Min:	1.7 V

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