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W949D2DBJX5E +BOM

High-performance mobile DRAM chip for demanding application

W949D2DBJX5E Allgemeine Beschreibung

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 512Mbit Parallel 200 MHz 5 ns 90-VFBGA (8x13)

Winbond Electronics Corporation America Inventar

Spezifikationen

Category Integrated Circuits (ICs)MemoryMemory Series -
Memory Type Volatile Memory Format DRAM
Technology SDRAM - Mobile LPDDR Memory Size 512Mbit
Memory Organization 16M x 32 Memory Interface Parallel
Clock Frequency 200 MHz Write Cycle Time - Word, Page 15ns
Access Time 5 ns Voltage - Supply 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature -25°C ~ 85°C (TC) Mounting Type Surface Mount
Base Product Number W949D2 Product Category: DRAM
Type: SDRAM Mobile - LPDDR Mounting Style: SMD/SMT
Data Bus Width: 32 bit Organization: 16 M x 32
Memory Size: 512 Mbit Maximum Clock Frequency: 200 MHz
Access Time: 6.5 ns Supply Voltage - Max: 1.95 V
Supply Voltage - Min: 1.7 V Supply Current - Max: 40 mA
Minimum Operating Temperature: - 25 C Maximum Operating Temperature: + 85 C
Series: W949D2DB Moisture Sensitive: Yes
Product Type: DRAM Factory Pack Quantity: 240
Subcategory: Memory & Data Storage

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