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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N3810U +BOM

High-quality, reliable 2N3810U transistor in bulk packaging

Hersteller:

Microchip
Herstellerteil #:

2N3810U
Datenblatt:

2N3810U Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

PNP
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

60 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N3810U

2N3810U Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 350mW Through Hole TO-78-6

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	PNP	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	60 V	Collector- Base Voltage VCBO	60 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	250 mV
Maximum DC Collector Current	50 mA	Pd - Power Dissipation	350 mW
Gain Bandwidth Product fT	-	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 200 C	Series	2N3810
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	1
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Unit Weight	0.452847 oz

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