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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N4091E3 +BOM

Reliable and robust transistor solution suitable for demanding application

Hersteller:

Microchip
Herstellerteil #:

2N4091E3
Datenblatt:

2N4091E3 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Configuration:

Single
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N4091E3

2N4091E3 Allgemeine Beschreibung

JFET

Spezifikationen

Product Category	JFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Configuration	Single	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	40 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	- 40 V	Drain-Source Current at Vgs=0	30 mA
Id - Continuous Drain Current	10 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	30 Ohms
Pd - Power Dissipation	360 mW	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Maximum Drain Gate Voltage	200 mV
Product Type	JFETs	Factory Pack Quantity	1
Subcategory	Transistors

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