Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N5160 +BOM

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, PNP, TO-39

Hersteller:

MOTOROLA
Herstellerteil #:

2N5160
Datenblatt:

2N5160 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8541.29.00.75
Collector Current-Max (IC):

0.4 A

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

2N5160 Allgemeine Beschreibung

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, PNP, TO-39

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Obsolete	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8541.29.00.75
Collector Current-Max (IC)	0.4 A	Collector-Base Capacitance-Max	4 pF
Collector-Emitter Voltage-Max	40 V	Configuration	SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE)	10	Highest Frequency Band	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95 Code	TO-39	JESD-30 Code	O-MBCY-W3
JESD-609 Code	e0	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Temperature-Max	200 °C
Polarity/Channel Type	PNP	Power Dissipation Ambient-Max	5 W
Power Dissipation-Max (Abs)	5 W	Power Gain-Min (Gp)	8 dB
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Finish	TIN LEAD	Terminal Form	WIRE
Terminal Position	BOTTOM	Transistor Application	AMPLIFIER
Transistor Element Material	SILICON	Transition Frequency-Nom (fT)	900 MHz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..