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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N5462 +BOM

Compact and efficient power electronic component with high-frequency performance

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

2N5462
Datenblatt:

2N5462 Datenblatt (PDF)
Case Outline:

29-11
MSL Temp (°C):

0
Container Type:

BLKBX
Technology:

Si
EDA/CAD Modelle:

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2N5462 Allgemeine Beschreibung

The 2N5462 is a junction field-effect transistor (JFET) typically used in various electronic circuits for its specific electrical characteristics.

Hauptmerkmale

Type: N-channel JFET (Junction Field-Effect Transistor).
Polarity: N-channel indicates that it is an N-channel JFET.
Drain-Source Voltage: Specifies the maximum voltage the transistor can handle between its drain and source terminals.
Gate-Source Voltage: Indicates the maximum voltage allowed between the gate and source terminals.
Drain Current: Maximum current flowing from the drain to the source when the transistor is on (conducting).
Package Type: Available in various package types (e.g., TO-92).

Anwendung

Amplification
Signal Processing
Voltage-Controlled Resistors

Spezifikationen

Status	Obsolete	Case Outline	29-11
MSL Temp (°C)	0	Container Type	BLKBX
Product Category	JFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	P-Channel
Configuration	Single	Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	40 V
Drain-Source Current at Vgs=0	- 4 mA to - 16 mA	Id - Continuous Drain Current	10 mA
Pd - Power Dissipation	350 mW	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 135 C	Maximum Drain Gate Voltage	40 V
Product Type	JFETs	Factory Pack Quantity	1000
Subcategory	Transistors	Type	JFET
Unit Weight	0.016000 oz

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