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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N6507TG +BOM

High-power thyristor for industrial control application

Hersteller:

Littelfuse
Herstellerteil #:

2N6507TG
Datenblatt:

2N6507TG Datenblatt (PDF)
Series:

2N650X
Breakover Current IBO Max:

250 A
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM:

400 V
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM:

10 uA
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N6507TG

2N6507TG Allgemeine Beschreibung

Whether you're working on a new project or upgrading existing systems, the 2N6507TG Silicon Controlled Rectifier provides the cutting-edge technology and superior functionality needed to achieve your goals. Trust in the reliability and precision of this rectifier to deliver exceptional results in your applications

Hauptmerkmale

Rugged, Compact Package for High Reliability and Durability
High Surge Current Capability up to 200 A

Spezifikationen

Product Category	SCRs	Series	2N650X
Breakover Current IBO Max	250 A	Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM	400 V
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM	10 uA	On-State RMS Current - It RMS	25 A
Vf - Forward Voltage	1.8 V	Gate Trigger Voltage - Vgt	1.5 V
Gate Trigger Current - Igt	30 mA	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 125 C	Mounting Style	Through Hole
Current Rating	16 A	Height	9.28 mm
Holding Current Ih Max	40 mA	Length	10.28 mm
Non Repetitive On-State Current	250 A	Product Type	SCRs
Factory Pack Quantity	1000	Subcategory	Thyristors
Type	SCR	Width	4.82 mm
Unit Weight	0.063493 oz

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