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Siehe Technische Spezifikationen

2N6989U/TR +BOM

Bipolar Transistors - BJT BJTs

Hersteller:

Microchip
Herstellerteil #:

2N6989U/TR
Datenblatt:

2N6989U/TR Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Quad
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

50 V

2N6989U/TR Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) Surface Mount 20-CLCC

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Quad
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V	Collector- Base Voltage VCBO	75 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	300 mV
Maximum DC Collector Current	800 mA	Pd - Power Dissipation	1 W
Minimum Operating Temperature	- 65 C	Maximum Operating Temperature	+ 200 C
DC Collector/Base Gain hfe Min	30 at 500 mA, 10 V	DC Current Gain hFE Max	325 at 1 mA, 10 V
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	100
Subcategory	Transistors	Technology	Si

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