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Siehe Technische Spezifikationen

2N6990 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 50V 800mA 400mW Surface Mount 14-Flatpack

Hersteller:

Microchip
Herstellerteil #:

2N6990
Datenblatt:

2N6990 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Quad
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

50 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N6990

2N6990 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 50V 800mA 400mW Surface Mount 14-Flatpack

Hauptmerkmale

Hermetically sealed 14 Lead Flat Pack
Also available in chip configuration
Chip geometry 0400
Reference document: MIL-PRF-19500/559
Benefits
Qualification Levels: JAN, JANTX, JANTXV and JANS
Radiation testing available

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Quad
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V	Collector- Base Voltage VCBO	75 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	300 mV
Maximum DC Collector Current	800 mA	Pd - Power Dissipation	1.5 W
Minimum Operating Temperature	- 65 C	Maximum Operating Temperature	+ 200 C
DC Collector/Base Gain hfe Min	75 at 1 mA, 10 VDC	DC Current Gain hFE Max	325 at 1 mA, 10 VDC
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	1
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Unit Weight	0.014110 oz

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