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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2SB1255 +BOM

Robust construction for long-term reliability

Hersteller:

Panasonic Electronic Components
Herstellerteil #:

2SB1255
Datenblatt:

2SB1255 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Pin Count:

3
ECCN Code:

EAR99
Case Connection:

ISOLATED
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2SB1255

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Tel: +852 95804164

2SB1255 Allgemeine Beschreibung

Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, TOP-3F-A1, SC-92, FULL PACK-3

Hauptmerkmale

Optimum for 90W HiFi output
High foward current transfer ratio hFE: 5000 to 30000
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat): <–2.5V
Full-pack package which can be installed to the heat sink with one screw

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Obsolete	Pin Count	3
ECCN Code	EAR99	Case Connection	ISOLATED
Collector Current-Max (IC)	8 A	Collector-Emitter Voltage-Max	140 V
Configuration	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR	DC Current Gain-Min (hFE)	5000
JESD-30 Code	R-PSFM-T3	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Temperature-Max	150 °C
Polarity/Channel Type	PNP	Power Dissipation-Max (Abs)	3 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Form	THROUGH-HOLE	Terminal Position	SINGLE
Transistor Application	AMPLIFIER	Transistor Element Material	SILICON
Transition Frequency-Nom (fT)	20 MHz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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