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Siehe Technische Spezifikationen

2SB1351 +BOM

The product labeled 2SB1351 is characterized by its Darlington PNP transistor configuration

Hersteller:

Sanken Electric Co., Ltd
Herstellerteil #:

2SB1351
Datenblatt:

2SB1351 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

PNP - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max):

12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

1.5V @ 20mA, 10A
EDA/CAD Modelle:

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2SB1351 Allgemeine Beschreibung

The 2SB1351 PNP silicon transistor is a robust and dependable component that delivers consistent performance in a range of electronic applications. With its high collector current (IC) rating of 2A, collector-emitter voltage (VCEO) rating of 50V, and power dissipation (Ptot) of 20W, this transistor is well-equipped to handle demanding tasks. Its transition frequency (fT) of 30MHz also makes it suitable for high-frequency applications, further enhancing its versatility

Hauptmerkmale

High DC current gain (Darlington)

Anwendung

Relay driver
Solenoid driver
Motor driver

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single Bipolar Transistors	Series	-
Transistor Type	PNP - Darlington	Current - Collector (Ic) (Max)	12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.5V @ 20mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max)	10µA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	2000 @ 10A, 4V
Power - Max	30 W	Frequency - Transition	130MHz
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole

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