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Siehe Technische Spezifikationen

2SB1691WL-TL-E +BOM

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Hersteller:

RENESAS
Herstellerteil #:

2SB1691WL-TL-E
Datenblatt:

2SB1691WL-TL-E Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

End Of Life
Pin Count:

3
Reach Compliance Code:

compliant
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2SB1691WL-TL-E

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

2SB1691WL-TL-E Allgemeine Beschreibung

The 2SB1691WL-TL-E is a high-performance PNP transistor that is perfect for a wide range of high current, low voltage applications. With a high collector current of up to 3.5A and a low collector-emitter saturation voltage of up to 0.3V, this transistor is ideal for use in general-purpose switching and amplification circuits. Its breakdown voltage of -50V, maximum power dissipation of 1.25W, and DC current gain of up to 200 make it a versatile component for various electronic designs

Hauptmerkmale

Fast turn-off switching capability
Suitable for high-frequency applications
Fully RoHS compliant and certified
Military-grade quality assurance

Anwendung

Compact design
Low heat generation
Wide voltage range

Spezifikationen

Source Content uid	2SB1691WL-TL-E	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	End Of Life	Pin Count	3
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Application	AMPLIFIER	Configuration	SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE)	200	JESD-30 Code	R-PDSO-G3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Peak Reflow Temperature (Cel)	225
Polarity/Channel Type	PNP	Surface Mount	YES
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	20
Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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