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Siehe Technische Spezifikationen

2SCR564F3TR +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 4 A 280MHz 1 W Surface Mount HUML2020L3

Hersteller:

ROHM Semiconductor
Herstellerteil #:

2SCR564F3TR
Datenblatt:

2SCR564F3TR Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

80 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

300mV @ 100mA, 2A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2SCR564F3TR

2SCR564F3TR Allgemeine Beschreibung

Bipolar Transistors - BJT Small and Excellent Thermal Conductivity, NPN 4A 80V Middle Power Transistor

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single Bipolar Transistors	Series	-
Transistor Type	NPN	Current - Collector (Ic) (Max)	4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max)	1µA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 500mA, 3V
Power - Max	1 W	Frequency - Transition	280MHz
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Product Category:	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style:	SMD/SMT
Transistor Polarity:	NPN	Configuration:	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	80 V	Collector- Base Voltage VCBO:	80 V
Emitter- Base Voltage VEBO:	6 V	Collector-Emitter Saturation Voltage:	100 mV
Maximum DC Collector Current:	4 A	Pd - Power Dissipation:	1 W
Gain Bandwidth Product fT:	280 MHz	Minimum Operating Temperature:	-
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C	Packaging:	Cut Tape
Continuous Collector Current:	4 A	DC Collector/Base Gain hfe Min:	120 at 500mA, 3 V
DC Current Gain hFE Max:	390 at 500mA, 3 V	Product Type:	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity:	3000	Subcategory:	Transistors
Technology:	Si	Part # Aliases:	2SCR564F3

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