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2SD1138 +BOM

Advanced bipolar junction transistor design ensures consistent performanc

2SD1138 Allgemeine Beschreibung

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220AB, 3 PIN

Spezifikationen

Part Life Cycle Code Transferred Pin Count 3
ECCN Code EAR99 Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 2 A Collector-Emitter Voltage-Max 150 V
Configuration SINGLE DC Current Gain-Min (hFE) 60
JEDEC-95 Code TO-220AB JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1 Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 °C Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation-Max (Abs) 30 W Qualification Status Not Qualified
Surface Mount NO Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON

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