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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2SD2000 +BOM

Single TRANS NPN Bipolar Transistor 60V CEO 4A TO-220F

Hersteller:

Panasonic
Herstellerteil #:

2SD2000
Datenblatt:

2SD2000 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

1.5V @ 400mA, 4A
EDA/CAD Modelle:

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2SD2000 Allgemeine Beschreibung

Bipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Single - TRANS NPN LF 60VCEO 4A TO-220F

Hauptmerkmale

High-speed switching
Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE
Large collector power dissipation PC
Full-pack package which can be installed to the heat sink with one screw

Spezifikationen

Product Category	Transistors (BJT) - Single	Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	4 A	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.5V @ 400mA, 4A	Current - Collector Cutoff (Max)	100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1A, 4V	Power - Max	2 W
Frequency - Transition	80MHz	Operating Temperature	150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	2SD200

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