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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2SK2915 +BOM

General-purpose FET capable of handling high power applications, compliant with RoHS regulations

Hersteller:

Toshiba
Herstellerteil #:

2SK2915
Datenblatt:

2SK2915 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2SK2915

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

Avaq Semiconductor bietet den äußerst vielseitigen und zuverlässigen 2SK2915-Treiber von Toshiba an. Mit seinen multifunktionalen und leistungsstarken Funktionen ist diese Komponente eine ausgezeichnete Wahl für eine breite Palette elektronischer Projekte.

Um sicherzustellen, dass Sie über alle notwendigen Informationen verfügen, um diese Komponente optimal nutzen zu können, stellt Avaq ein kostenloses Datenblatt im PDF-Format sowie Schaltpläne, Pin-Layouts, Pin-Details, Pin-Spannungswerte und gleichwertige Komponenten für die zur Verfügung 2SK2915.

Avaq bietet auch kostenlose Muster an. Füllen Sie einfach das Musteranforderungsformular aus und senden Sie es ab, um Ihre kostenlosen Muster zum Testen zu erhalten. Bei Fragen können Sie sich gerne jederzeit an uns wenden.

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Id - Continuous Drain Current	16 A	Rds On - Drain-Source Resistance	400 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	150 W
Channel Mode	Enhancement	Series	2SK2915
Configuration	Single	Fall Time	60 ns
Height	20 mm	Length	15.5 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	50 ns
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	155 ns	Typical Turn-On Delay Time	35 ns
Width	4.5 mm	Unit Weight	0.162260 oz

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