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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

7164S25TPG +BOM

High-capacity SRAM module for increased processing efficiency and spee

Hersteller:

Renesas Technology Corp
Herstellerteil #:

7164S25TPG
Datenblatt:

7164S25TPG Datenblatt (PDF)
Memory Type:

Volatile
Memory Format:

SRAM
Technology:

SRAM - Asynchronous
Memory Size:

64Kbit
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 7164S25TPG

7164S25TPG Allgemeine Beschreibung

SRAM - Asynchronous Memory IC 64Kbit Parallel 25 ns 28-PDIP

Hauptmerkmale

High-speed address/chip select access time– Military: 20/25/35/45/55/70/85/100ns (max.)– Industrial: 20/25ns (max.)– Commercial: 20/25ns (max.)
Low power consumption
Battery backup operation – 2V data retention voltage(L Version only)
Produced with advanced CMOS high-performancetechnology
Inputs and outputs directly TTL-compatible
Three-state outputs
Available in 28-pin DIP, CERDIP and SOJ packages
Military product compliant to MIL-STD-883, Class B

Spezifikationen

Category	Integrated Circuits (ICs)MemoryMemory	Series	-
Memory Type	Volatile	Memory Format	SRAM
Technology	SRAM - Asynchronous	Memory Size	64Kbit
Memory Organization	8K x 8	Memory Interface	Parallel
Write Cycle Time - Word, Page	25ns	Access Time	25 ns
Voltage - Supply	4.5V ~ 5.5V	Operating Temperature	0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	7164S
Product Category	SRAM	Organization	8 k x 8
Maximum Clock Frequency	-	Interface Type	Parallel
Supply Voltage - Max	5.5 V	Supply Voltage - Min	4.5 V
Supply Current - Max	90 mA	Minimum Operating Temperature	0 C
Maximum Operating Temperature	+ 70 C	Mounting Style	Through Hole
Height	3.3 mm	Length	34.3 mm
Product Type	SRAM	Factory Pack Quantity	28
Subcategory	Memory & Data Storage	Type	Asynchronous
Width	7.62 mm	Part # Aliases	IDT7164S25TPG 7164
Unit Weight	0.147798 oz

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