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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

71V65703S80PFG +BOM

High-speed, high-density SRAM for synchronously driven applications

Hersteller:

Renesas Technology Corp
Herstellerteil #:

71V65703S80PFG
Datenblatt:

71V65703S80PFG Datenblatt (PDF)
Memory Type:

Volatile
Memory Format:

SRAM
Technology:

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Memory Size:

9Mbit
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 71V65703S80PFG

71V65703S80PFG Allgemeine Beschreibung

The 71V65703S80PFG is a high-performance 3.3V CMOS SRAM with a unique Zero Bus Turnaround feature, designed to maximize bus efficiency by eliminating dead cycles during bus transitions. With an organization of 256K x 36, this SRAM is ideal for applications requiring fast and seamless data transfer between reads and writes. The SRAM includes address, data-in, and control signal registers, with flow-through outputs for improved data flow. In burst mode, the SRAM can deliver four cycles of data for a single address, enhancing overall system performance

Hauptmerkmale

Efficient use of resources realized
Simplified system configuration enabled
Reliable operation ensured through testing
Compact package design utilized
Durable and rugged construction used
Maintaining a high level of quality

Spezifikationen

Category	Integrated Circuits (ICs)MemoryMemory	Series	-
Memory Type	Volatile	Memory Format	SRAM
Technology	SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)	Memory Size	9Mbit
Memory Organization	256K x 36	Memory Interface	Parallel
Write Cycle Time - Word, Page	-	Access Time	8 ns
Voltage - Supply	3.135V ~ 3.465V	Operating Temperature	0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	71V65703

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